2SA1037Q-TP

更新时间： 2024-11-18 13:00:31

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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2页	170K
描述
150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA1037Q-TP 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.21	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1037Q-TP 数据手册

M C C

2SA1037-Q

2SA1037-R

2SA1037-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Small Package

Mounting:any position

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.15

Unit

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min

Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-50

-60

-6.0

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

MIN

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

-0.1

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

120

560

-0.5

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-5.0mAdc, I_B=-5.0mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

ꢀ_ꢀ

MHZ

(VCE=-12Vdc,IC=-2mAdc,f=30MHZ)

.031

.800

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

180-390

.035

.900

Range

120-270

270-560

Marking

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1037-Q-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1037R	CJ	获取价格	Transistor
2SA1037-R	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA1037-R	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2SA1037R-T	RECTRON	获取价格	Transistor
2SA1037R-TP	MCC	获取价格	150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
2SA1037S	CJ	获取价格	Transistor
2SA1037S	TRSYS	获取价格	Transistor
2SA1037S	RECTRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
2SA1037-S	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors

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