2SA1037-TP

更新时间： 2024-10-30 13:04:07

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	170K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA1037-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1037-TP 数据手册

M C C

2SA1037-Q

2SA1037-R

2SA1037-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Small Package

Mounting:any position

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.15

Unit

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min

Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-50

-60

-6.0

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

MIN

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

-0.1

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

120

560

-0.5

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-5.0mAdc, I_B=-5.0mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

ꢀ_ꢀ

MHZ

(VCE=-12Vdc,IC=-2mAdc,f=30MHZ)

.031

.800

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

180-390

.035

.900

Range

120-270

270-560

Marking

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1038	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92
2SA1038/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SA1038/RS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SA1038/S	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SA1038R	ROHM	获取价格	50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1038S	ROHM	获取价格	High-voltage Amplifier Transistor (−120V, −50mA)
2SA1038S/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1038S/RS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1038S/S	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SA1038SR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SPAK

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