Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1037-Q-TP-HF

2SA1037-Q-TP-HF

更新时间： 2024-11-18 13:00:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	170K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1037-Q-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

2SA1037-Q-TP-HF 数据手册

M C C

2SA1037-Q

2SA1037-R

2SA1037-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Small Package

Mounting:any position

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.15

Unit

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min

Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-50

-60

-6.0

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

MIN

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

-0.1

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

120

560

-0.5

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-5.0mAdc, I_B=-5.0mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

ꢀ_ꢀ

MHZ

(VCE=-12Vdc,IC=-2mAdc,f=30MHZ)

.031

.800

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

180-390

.035

.900

Range

120-270

270-560

Marking

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2SA1037-Q-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1037R	CJ	获取价格	Transistor
2SA1037-R	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA1037-R	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2SA1037R-T	RECTRON	获取价格	Transistor
2SA1037R-TP	MCC	获取价格	150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
2SA1037S	CJ	获取价格	Transistor
2SA1037S	TRSYS	获取价格	Transistor
2SA1037S	RECTRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
2SA1037-S	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SA1037-S	YANGJIE	获取价格	SOT-23

与2SA1037-Q-TP-HF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1037-Q-TP-HF

2SA1037-Q-TP-HF 技术参数

2SA1037-Q-TP-HF 数据手册

与2SA1037-Q-TP-HF相关器件

与2SA1037-Q-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1037-Q-TP-HF

2SA1037-Q-TP-HF 技术参数

2SA1037-Q-TP-HF 数据手册

与2SA1037-Q-TP-HF相关器件

与2SA1037-Q-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？