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2SA1020O

更新时间： 2024-02-16 19:14:43

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TRSYS		开关晶体管
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1页	61K
描述
Transistor

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2SA1020O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SA1020O 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors

TO-92MOD

2SA1020 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

FEATURES

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_CM

: 900

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

: -2

123

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -50

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-100µA, I_E=0

MIN

-50

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=-1mA, I_B=0

I_E=-100 µA, I_C=0

V_CB=-50 V, I_E=0

µA

-1

I_EBO

V_EB=-5 V, I_C=0

Emitter cut-off current

-1

h_FE(1)

V_CE=-2 V, I_C=-500 A

I_C=-1A, I_B=-50 mA

I_C=-1 A, I_B=-50 mA

V_CE=-2 V, I_C=-500 mA

DC current gain

240

-0.5

-1.2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f _T

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

MHz

100

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

70-140

120-240

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