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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 10 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 3 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-202 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 4 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 100 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2P4M-BY-AZ | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2P4M-CY | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2P4M-CY-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2P4M-YA | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| 2P4M-YA-AZ | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| 2P4M-YB | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| 2P4M-YB-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2P4M-YC | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| 2P4M-YC-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2P50 | UTC |
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P-CH |
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