5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 4 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2P4M-YB | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
|
| 2P4M-YB-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2P4M-YC | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
|
| 2P4M-YC-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2P50 | UTC |
获取价格 |
P-CH |
|
| 2P5M | TGS |
获取价格 |
Triacs sensitive gate |
|
| 2P5M | NEC |
获取价格 |
2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR |
|
| 2P5M-AY | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
|
| 2P5M-BY | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
|
| 2P5M-CY | NEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
