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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7101 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N7102 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-210AC |
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| 2N7103 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-210AC |
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| 2N7104 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N7105 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N7106 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 10V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N7107 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 10V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N7108 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N7109 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-72 |
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| 2N710A | ETC |
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silicon transistors UHF/VHF power transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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