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2N7002H

更新时间： 2024-01-24 21:38:07

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	278K
描述
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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2N7002H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	Base Number Matches：	1
类别：	Diodes	配置：	Single
Channel Polarity：	N	ESD：	Y
Max PD(W)：	0.35	Min PD(W)：	60
Max VGS (V)：	±20	Max ID(A)：	0.3
Max IGSS(uA)：	±10	Max VGS(th) (V)：	2.5
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ：	1450	RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max：	2500
AEC Qualified：	NO	最高工作温度：	150
最低工作温度：	-55	MSL等级：	1
生命周期：	Active	是否无铅：	Yes
符合Reach：	Yes	符合RoHS：	Yes
ECCN代码：	EAR99	Package Outlines：	SOT-23

2N7002H 数据手册

Nexperia

2N7002H

60 V, N-channel Trench MOSFET

aaa-034210

(V)

GS(pl)

GS(th)

GS2

GS1

0.1

0.2

0.3

0.4

(nC)

G(tot)

003aaa508

I_D= 300 mA; V_DS= 30 V; T_j= 25 °C

Fig. 15. Gate charge waveform definitions

Fig. 14. Gate-source voltage as a function of gate

charge; typical values

aaa-034231

1.2

(A)

0.8

T = 150 °C

0.4

T = 25 °C

0.4

0.8

1.2

(V)

V_GS= 0 V

Fig. 16. Source current as a function of source-drain voltage; typical values

2N7002H

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Product data sheet

1 December 2021

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002H-7	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
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2N7002HS	NEXPERIA	60 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction	获取价格
2N7002HT	Galaxy Microelectronics	0.3A, 60V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs	获取价格