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2N7002H

更新时间： 2024-01-25 09:35:38

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	278K
描述
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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2N7002H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	Base Number Matches：	1
类别：	Diodes	配置：	Single
Channel Polarity：	N	ESD：	Y
Max PD(W)：	0.35	Min PD(W)：	60
Max VGS (V)：	±20	Max ID(A)：	0.3
Max IGSS(uA)：	±10	Max VGS(th) (V)：	2.5
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ：	1450	RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max：	2500
AEC Qualified：	NO	最高工作温度：	150
最低工作温度：	-55	MSL等级：	1
生命周期：	Active	是否无铅：	Yes
符合Reach：	Yes	符合RoHS：	Yes
ECCN代码：	EAR99	Package Outlines：	SOT-23

2N7002H 数据手册

Nexperia

2N7002H

60 V, N-channel Trench MOSFET

aaa-034202

aaa-034203

-3

-4

-5

-6

0.8

10 V

4.5 V

(A)

4.0 V

(A)

0.6

min

typ

max

0.4

0.2

3.5 V

3.0 V

= 2.4 V

(V)

T_j= 25 °C

T_j= 25 °C; V_DS= 5 V

Fig. 6. Output characteristics: drain current as a

function of drain-source voltage; typical values

Fig. 7. Sub-threshold drain current as a function of

gate-source voltage

aaa-034204

aaa-034205

DSon

3.5 V 3.7 V

(

)

( )

4 V

4.5 V

T = 150 °C

5 V

T = 25 °C

= 10 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

(V)

(A)

T_j= 25 °C

I_D= 1.2 A

Fig. 8. Drain-source on-state resistance as a function Fig. 9. Drain-source on-state resistance as a function

of drain current; typical values

of gate-source voltage; typical values

2N7002H

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Product data sheet

1 December 2021

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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