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2N7000D27Z

更新时间： 2024-02-21 08:37:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 746K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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2N7000D27Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7000D27Z 数据手册

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November 1995  
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
High density cell design for low RDS(ON)  
.
These N-Channel enhancement mode field effect transistors  
are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,  
DMOS technology. These products have been designed to  
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable,  
and fast switching performance. They can be used in most  
applications requiring up to 400mA DC and can deliver  
pulsed currents up to 2A. These products are particularly  
suited for low voltage, low current applications such as small  
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
High saturation current capability.  
___________________________________________________________________________________________  
D
G
D
G
S
TO-92  
2N7000  
S
(TO-236AB)  
2N7002/NDS7002A  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
2N7000  
2N7002  
60  
NDS7002A  
Symbol  
Parameter  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
60  
VDGR  
VGSS  
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
V
±20  
- Non Repetitive (tp < 50µs)  
±40  
115  
800  
200  
1.6  
ID  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
200  
500  
400  
3.2  
280  
1500  
mA  
PD  
Maximum Power Dissipation  
Derated above 25oC  
300  
mW  
mW/°C  
°C  
2.4  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
-65 to 150  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
300  
625  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
312.5  
417  
°C/W  
R
JA  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N7000.SAM Rev. A1  
1234567...14

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