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2N6895TXV

更新时间: 2024-11-09 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
4页 193K
描述
1160mA, 100V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF

2N6895TXV 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
其他特性:RADIATION HARDENED外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):1.16 A最大漏源导通电阻:3.65 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):30 pF
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6895TXV 数据手册

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