是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 100 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 75 W | 最大功率耗散 (Abs): | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 285 ns | 最大开启时间(吨): | 195 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6904-8 | NJSEMI |
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Monolithic Dual N-Channel JFET General Purpose Amplifier | |
2N6904TX | RENESAS |
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8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N6905 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 500UA I(DSS) | TO-71 | |
2N6906 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 500UA I(DSS) | TO-71 | |
2N6907 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 500UA I(DSS) | TO-71 | |
2N6908 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2MA I(DSS) | TO-72 | |
2N6909 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 3.5MA I(DSS) | TO-72 | |
2N690A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 600V 200A 3-Pin TO-48 Box | |
2N690A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS | |
2N690ALEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO- |