5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 最大直流栅极触发电流： | 80 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 2.2 mA | 通态非重复峰值电流： | 150 A |
| 最大通态电压： | 2 V | 最大通态电流： | 16000 A |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 断态重复峰值电压： | 700 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6910 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-72 |
|
| 2N6912 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
|
| 2N6913 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-3 |
|
| 2N6914 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-3 |
|
| 2N6917 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| 2N691A | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 700V 200A 3-Pin TO-48 Box |
|
| 2N691A | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
|
| 2N691ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N691APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N691E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 700V V(DRM) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
