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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.17 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.69 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 8.33 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 8.33 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6901TX | RENESAS |
获取价格 |
1690mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6901TXV | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.69A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6902 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
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| 2N6902-6 | NJSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual N-Channel JFET General Purpose Amplifier |
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| 2N6903 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-205AF |
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| 2N6903TX | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6904 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N6904 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6904-8 | NJSEMI |
获取价格 |
Monolithic Dual N-Channel JFET General Purpose Amplifier |
|
| 2N6904TX | RENESAS |
获取价格 |
8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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