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2N6755

更新时间： 2024-02-26 23:54:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	141K
描述
N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V

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2N6755 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON

2N6755 数据手册

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与2N6755相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6756	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N6756	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V	获取价格
2N6756	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6756	NJSEMI	HEXFET TRANSISTORS	获取价格
2N6757	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V	获取价格
2N6757	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格

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