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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6667AJ
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2N6667AJ

更新时间： 2024-01-22 08:08:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN

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2N6667AJ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：65 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2N6667AJ 数据手册

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2N6667 2N6668  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.92  
62.5  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θJC  
R
θJA  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (2)  
2N6667  
2N6668  
V
60  
80  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 200 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current (V  
(V  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N6667  
2N6668  
I
CEO  
—
—
1
1
mAdc  
CE  
CE  
B
= 80 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
(V  
(V  
(V  
(V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
) = 1.5 Vdc)  
2N6667  
2N6668  
2N6667  
2N6668  
I
—
—
—
—
300  
300  
3
µAdc  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB(off)  
EB(off  
EB(off  
CEX  
) = 1.5 Vdc, T = 125_C)  
mAdc  
C
C
= 1.5 Vdc, T = 125_C)  
3
EB(off)  
Emitter Cutoff Current (V  
= 5 Vdc, I = 0)  
I
—
5
mAdc  
BE  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain (I = 5 Adc, V  
C
EBO  
= 3 Vdc)  
= 3 Vdc)  
h
FE  
1000  
100  
20000  
—
—
C
CE  
CE  
(I = 10 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.01 Adc)  
V
—
—
2
3
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
BE(sat)  
(I = 10 Adc, I = 0.1 Adc)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage(I = 5 Adc, I = 0.01 Adc)  
V
—
—
2.8  
4.5  
C
C
B
B
(I = 10 Adc, I = 0.1 Adc)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain — Bandwidth Product (I = 1 Adc, V  
= 5 Vdc, f = 1 MHz)  
test  
|h  
|
20  
—
—
200  
—
—
pF  
—
C
CE  
fe  
Output Capacitance (V  
= 10 Vdc, I = 0, f = 1 MHz)  
C
ob  
CB  
E
Small–Signal Current Gain (I = 1 Adc, V  
C
= 5 Vdc, f = 1 kHz)  
h
fe  
1000  
CE  
*Indicates JEDEC Registered Data  
(2) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.  
V
CC  
- 30 V  
R
& R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
C
D , MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g.,  
B
R
C
SCOPE  
1
TUT  
ą1N5825 USED ABOVE I [ 100 mA  
B
V
2
R
B
ąMSD6100 USED BELOW I [ 100 mA  
B
APPROX  
+ 8 V  
FOR t AND t , D IS DISCONNECTED AND V = 0  
1
d
r
2
51  
D
1
[ 8 k  
[ 120  
0
t , t v 10 ns  
r
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
V
1
+ 4.0 V  
APPROX  
- 12 V  
25 µs  
Figure 2. Switching Times Test Circuit  
http://onsemi.com  
2
12345678

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