2N6520RL

更新时间： 2024-01-25 23:33:59

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N6520RL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6520RL 数据手册

NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520

200

100

= 10 V

= 125°C

25°C

-ā55°C

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 1. DC Current Gain – NPN 2N6515

200

= 125°C

25°C

= 10 V

= -10 V

= 125°C

25°C

100

-ā55°C

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

-1.0

-ā2.0 -ā3.0 -ā5.0 -ā7.0 -10

-ā20 -ā30 -ā50 -ā70 -100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 2. DC Current Gain – NPN 2N6517

Figure 3. DC Current Gain – PNP 2N6520

100

T = 25°C

= 25°C

= 20 V

= -ā20 V

f = 20 MHz

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

-1.0

-ā2.0 -ā3.0 -ā5.0 -ā7.0 -10

-ā20 -ā30 -ā50 -ā70 -100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. Current–Gain – Bandwidth Product – NPN

2N6515, 2N6517

Figure 5. Current–Gain – Bandwidth Product – PNP

2N6520

http://onsemi.com

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