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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6520RL
2N6520RL PDF预览

2N6520RL

更新时间： 2024-02-10 20:34:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N6520RL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.46集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz

2N6520RL 数据手册

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NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Continued)  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 150 Vdc, I = 0)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
–
–
50  
50  
E
= 250 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
nAdc  
EBO  
(V  
EB  
(V  
EB  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
–
–
50  
50  
C
= 4.0 Vdc, I = 0)  
C
(1)  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 1.0 mAdc, V  
C
h
FE  
–
= 10 Vdc)  
= 10 Vdc)  
= 10 Vdc)  
= 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
35  
20  
–
–
CE  
CE  
CE  
CE  
(I = 10 mAdc, V  
C
2N6515  
2N6517, 2N6520  
50  
30  
–
–
(I = 30 mAdc, V  
C
2N6515  
2N6517, 2N6520  
50  
30  
300  
200  
(I = 50 mAdc, V  
C
2N6515  
2N6517, 2N6520  
45  
20  
220  
200  
(I = 100 mAdc, V  
C CE  
= 10 Vdc)  
2N6515  
2N6517, 2N6520  
25  
15  
–
–
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
–
–
–
–
0.30  
0.35  
0.50  
1.0  
C
B
(I = 20 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
C
B
(I = 30 mAdc, I = 3.0 mAdc)  
C
C
B
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
Base–Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
Vdc  
BE(sat)  
–
–
–
0.75  
0.85  
0.90  
C
B
(I = 20 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
C
B
(I = 30 mAdc, I = 3.0 mAdc)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
(I = 100 mAdc, V = 10 Vdc)  
V
–
2.0  
BE(on)  
C
CE  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
(1)  
Current–Gain – Bandwidth Product  
f
C
C
40  
–
200  
6.0  
MHz  
pF  
T
(I = 10 mAdc, V = 20 Vdc, f = 20 MHz)  
C
CE  
Collector–Base Capacitance  
(V = 20 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
cb  
eb  
CB  
Emitter–Base Capacitance  
(V = 0.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
pF  
2N6515, 2N6517  
2N6520  
–
–
80  
100  
EB  
C
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn–On Time  
t
t
–
–
200  
3.5  
µs  
µs  
on  
(V  
CC  
= 100 Vdc, V  
BE(off)  
= 2.0 Vdc, I = 50 mAdc, I = 10 mAdc)  
B1  
C
Turn–Off Time  
(V = 100 Vdc, I = 50 mAdc, I = I = 10 mAdc)  
off  
CC B1 B2  
C
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
http://onsemi.com  
2
12345678

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