2N6520RL

更新时间： 2024-01-15 11:07:35

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N6520RL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6520RL 数据手册

NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520

ADJUSTED

2.2 k

FOR V

20 k

= 100 V

CE(off)

1.0 k

+10.8 V

50 Ω SAMPLING SCOPE

1/2MSD7000

-9.2 V

PULSE WIDTH ≈ 100 µs

t , t ≤ 5.0 ns

DUTY CYCLE ≤ 1.0%

FOR PNP TEST CIRCUIT,

REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES

APPROXIMATELY

-1.35 V

(ADJUST FOR V

(BE)off

= 2.0 V)

Figure 16. Switching Time Test Circuit

1.0

0.7

0.5

D = 0.5

0.2

0.3

0.2

SINGLE PULSE

0.05

0.1

0.07

0.05

= r(t) • R

- T = P

θJC(t)

θJA(t)

θJC J(pk)

(pk) θJC(t)

0.03

0.02

θJA J(pk)

(pk) θJA(t)

0.01

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

100

200

500

1.0Ăk 2.0Ăk

5.0Ăk 10Ăk

t, TIME (ms)

Figure 17. Thermal Response

500

FIGURE A

10 µs

100 µs

= 25°C

200

100

1.0 ms

= 25°C

100 ms

CURRENT LIMIT

THERMAL LIMIT

5.0

ă(PULSE CURVES @ T = 25°C)

SECOND BREAKDOWN LIMIT

2.0

1.0

0.5

2N6515

1/f

CURVES APPLY

BELOW RATED V

CEO

2N6517, 2N6520

DUTYĂCYCLE + t Ăf +

0.5 1.0 2.0

5.0

50 100 200

500

PEAK PULSE POWER = P

V , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 18. Active Region Safe Operating Area

Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data

http://onsemi.com

1...3 4 567 8

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