5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N6520
2N6520 PDF预览

2N6520

更新时间： 2024-11-18 07:29:07
品牌 Logo 应用领域
DCCOM 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 214K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6520 数据手册

  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
2N6520  
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
Designed for applications requiring high breakdown  
voltage.  
TO-92  
.190(4.83)  
.170(4.33)  
Pinning  
1 = Emitter  
2 = Base  
3 = Collector  
2oTyp  
2oTyp  
.190(4.83)  
.170(4.33)  
.500  
(12.70)  
Min  
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-350  
Unit  
V
.022(0.56)  
.014(0.36)  
.022(0.56)  
.014(0.36)  
.050  
(1.27)  
Typ  
.100  
Typ  
-350  
V
(2.54)  
-5  
V
.148(3.76)  
.132(3.36)  
-500  
mA  
mW  
oC  
oC  
3
2 1  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PD  
625  
.050  
5oTyp. (1.27)  
Typ  
TJ  
+150  
-55 to +150  
5oTyp.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
TSTG  
Electrical Characteristics  
(Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified)  
Characteristic  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Test Conditions  
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Volatge  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Volatge  
Collector Cutoff Current  
-350  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-350  
V
IC=-1mA, IB=0  
-5  
-
-
V
IE=-10µA, IC=0  
-50  
-50  
-0.30  
-0.35  
-0.50  
-0.75  
-0.85  
-0.90  
-2  
nA  
nA  
V
VCB=-250V, IE=0  
EmitterCutoff Current  
IEBO  
-
VEB=-4V, IC=0  
VCE(sat)1  
-
IC=-10mA, IB=-1mA  
IC=-20mA, IB=-2mA  
IC=-30mA, IB=-3mA  
IC=-10mA, IB=-1mA  
IC=-20mA, IB=-2mA  
IC=-30mA, IB=-3mA  
IC=-100mA, VCE=-10V  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-10mA, VCE=-10V  
IC=-30mA, VCE=-10V  
IC=-50mA, VCE=-10V  
IC=-10mA, VCE=-20V, f=20MHz  
VCB=-20V, f=1MHz, IE=0  
Collector-Emitter Saturation Voltage(1) VCE(sat)2  
-
V
VCE(sat)3  
-
V
Base-Emitter Saturation Voltage(1)  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
VBE(sat)3  
VBE(on)  
hFE1  
-
V
-
V
-
V
Base-Emitter On Voltage(1)  
DC Current Gain(1)  
-
V
20  
30  
30  
20  
40  
-
-
-
hFE2  
-
-
hFE3  
200  
200  
200  
6
-
hFE4  
-
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
MHz  
pF  
Cob  
(1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2%  
1

中文翻译

下载PDF

与2N6520相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6520-18FLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N6520-18RLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N6520-5T1 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
2N6520-A MCC

获取价格

 		Transistor
2N6520APMLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N6520APP CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N6520APPLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N6520-B MCC

获取价格

 		Transistor
2N6520-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N6520D75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

与2N6520相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证