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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N651A | SMSC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PI |
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| 2N651A | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 0.5A |
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| 2N652 | SMSC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PI |
|
| 2N652 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 0.5A |
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| 2N6520 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| 2N6520 | SECOS |
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PNP Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2N6520 | TGS |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| 2N6520 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 2N6520 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6520 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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