2N6495

更新时间： 2024-02-10 08:42:27

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3页	125K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6495 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
Base Number Matches：	1

2N6495 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6495

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

V_BE

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=0.1 A ; I_B=0

Collector-emitter saturation voltage I_C=10A; I_B=1A

1.5

2.0

2.8

Base-emitter saturation voltage

Base -emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=10A; I_B=1A

I_C=10A ; V_CE=3V

V_CE=150V;V_BE(off)=-1.5V

T_C=150℃

0.1

1.0

I_CEV

I_CEO

V_CE=40V; I_B=0

V_EB=7V; I_C=0

0.1

I_EBO

h_FE

I_C=10A ; V_CE=3V

I_C=1 A ; V_CE=10V

f_T

Transition frequency

MHz

123

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