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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6490T | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6490U | MOTOROLA |
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15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6490U2 | MOTOROLA |
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15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6490UA | MOTOROLA |
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15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6490W | MOTOROLA |
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15A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6491 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 2 P |
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| 2N6491 | NJSEMI |
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SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS |
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| 2N6491 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6491 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6491 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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