5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-220 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6491#N/A | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2N649116 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N649116A | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491-6255 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6491-6261 | RENESAS |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491-6264 | RENESAS |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491-6265 | RENESAS |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491A | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6491AF | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
|
| 2N6491AF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
