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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6491#N/A | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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| 2N649116 | MOTOROLA | 15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N649116A | MOTOROLA | 15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6491-6255 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6491-6261 | RENESAS | 15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6491-6264 | RENESAS | 15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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