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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6466LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6467 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device |
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| 2N6467 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6467 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6467 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
|
| 2N6467 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
| 2N6467 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6468 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
|
| 2N6468 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N6468 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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