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2N6467

更新时间: 2024-02-22 00:51:46
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美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 84K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N6467 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-66
包装说明:TO-66, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.32
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHz

2N6467 数据手册

  

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