2N6467

更新时间： 2024-11-04 05:57:39

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6467 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Base Number Matches：	1

2N6467 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6467 2N6468

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Complement to type 2N6465 2N6466

APPLICATIONS

·For use in audio amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-110

-130

-100

-120

-5

UNIT

2N6467

2N6468

2N6467

2N6468

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-4

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

T_stg

-65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

12 3

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