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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 30 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 40 mA | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 16 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6405-WC | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB |
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| 2N6408 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2N6410 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6411 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6412 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6413 | NJSEMI |
获取价格 |
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE |
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| 2N6414 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6415 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6420 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(35W) |
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| 2N6420 | BOCA |
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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
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