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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6410 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6411 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6412 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6413 | NJSEMI |
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COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE |
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| 2N6414 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6415 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6420 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(35W) |
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| 2N6420 | BOCA |
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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
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| 2N6420 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| 2N6420 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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