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2N6340

更新时间： 2024-01-23 04:59:54

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N6340 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N6340 数据手册

2N6338 2N6341

1.0

0.7

0.5

D = 0.5

0.3

0.2

0.1

(pk)

0.1

= r(t) θ

= 0.875°C/W MAX

0.05

0.02

0.07

0.05

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

0.03

0.02

0.01

READ TIME AT t

- T = P

θ (t)

J(pk)

(pk) JC

SINGLE PULSE

DUTY CYCLE, D = t /t

1 2

0.01

0.01 0.02 0.03 0.05

0.1

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

t, TIME (ms)

20 30

100

200 300 500 1000

Figure 4. Thermal Response

100

There are two limitations on the power handling ability of

a transistor: average junction temperature and second

200 µs

1.0 ms

5.0 ms

breakdown. Safe operating area curves indicate I –V

limits of the transistor that must be observed for reliable

operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater

dissipation than the curves indicate.

5.0

2.0

1.0

0.5

T = 200°C

The data of Figure 5 is based on T

variable depending on conditions. Second breakdown pulse

= 200_C; T is

BONDING WIRE LIMITED

THERMALLY LIMITED @

J(pk)

= 25°C (SINGLE PULSE)

SECOND BREAKDOWN

LIMITED CURVES APPLY

0.2

0.1

limits are valid for duty cycles to 10% provided T

J(pk)

v 200_C. T

may be calculated from the data in

J(pk)

2N6338

2N6341

0.05

Figure 4. At high case temperatures, thermal limitations will

reduce the power that can be handled to values less than the

limitations imposed by second breakdown.

BELOW RATED V

CEO

0.02

0.01

2.0 3.0 5.0 7.0 10

20 30

50 70

100 200

, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 5. Active Region Safe Operating Area

5.0

5000

= 80 V

T = 25°C

3000

3.0

2.0

= I

B1 B2

2000

I /I = 10

C B

T = 25°C

1.0

0.7

0.5

1000

700

500

0.3

0.2

300

200

0.1

100

0.07

0.05

0.1

0.3 0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0

20 30

0.2 0.5

1.0

2.0

5.0 10

50 100

I , COLLECTOR CURRENT (AMP)

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 6. Turn–Off Time

Figure 7. Capacitance

http://onsemi.com

1 234

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2N6340 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6284G	ONSEMI	功能相似	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors
JANTX2N6284	MICROSEMI	功能相似	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277	MICROSEMI	功能相似	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

与2N6340相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6340A	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 140V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6340X	ETC	获取价格	NPN
2N6341	BOCA	获取价格	HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS
2N6341	ONSEMI	获取价格	High-Power NPN Silicon Transistors
2N6341	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6341	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6341	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors
2N6341	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N6341	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6341	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTOR(25A,200W)

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