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2N6340

更新时间： 2024-01-21 21:19:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N6340 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2N6340 数据手册

 浏览型号2N6340的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6340的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6340的Datasheet PDF文件第4页 
2N6338 2N6341  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
2N6338  
2N6341  
V
100  
150  
–
–
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
CEO  
2N6338  
2N6341  
CE  
B
–
–
50  
50  
(V = 75 Vdc, I = 0)  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V = Rated V  
, V  
, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc, T = 150_C)  
CE  
CEO EB(off)  
–
–
10  
1.0  
µAdc  
mAdc  
(V = Rated V  
CE  
CEO EB(off)  
C
Collector Cutoff Current (V = Rated V , I = 0)  
I
–
–
10  
µAdc  
µAdc  
CB  
CB  
E
CBO  
Emitter Cutoff Current (V = 6.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
100  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain)  
h
FE  
–
(I = 0.5 Adc, V = 2.0 Vdc)  
C
CE  
50  
30  
12  
–
120  
–
(I = 10 Adc, V = 2.0 Vdc)  
C
CE  
(I = 25 Adc, V = 2.0 Vdc)  
C
CE  
Collector Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 Adc, I = 1.0 Adc)  
V
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
C
B
–
–
1.0  
1.8  
(I = 25 Adc, I = 2.5 Adc)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 Adc, I = 1.0 Adc)  
BE(sat)  
C
B
–
–
1.8  
2.5  
(I = 25 Adc, I = 2.5 Adc)  
C
B
Base–Emitter On Voltage (I = 10 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
–
1.8  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain – Bandwidth Product (2) (I = 1.0 Adc, V = 10 Vdc, f  
= 10 MHz)  
f
40  
–
–
MHz  
pF  
C
CE  
test  
T
Output Capacitance (V = 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
C
300  
CB  
E
ob  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Rise Time (V ≈ 80 Vdc, I = 10Adc, I = 1.0 Adc, V  
= 6.0 Vdc)  
t
–
–
–
0.3  
1.0  
µs  
µs  
µs  
CC  
C
B1  
BE(off)  
r
Storage Time (V ≈ 80 Vdc, I = 10 Adc, I = I = 1.0 Adc)  
t
s
CC  
C
B1  
B2  
Fall Time (V ≈ 80 Vdc, I = 10 Adc, I = I = 1.0 Adc)  
t
0.25  
CC  
C
B1  
B2  
f
*Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.  
(2) f = |h | • f  
.
T
fe  
test  
1000  
V
CC  
700  
500  
+ 80 V  
V
= 80 V  
CC  
I /I = 10  
C B  
T = 25°C  
R
C
8.0 OHMS  
t @ V  
d
= 6.0 V  
J
BE(off)  
300  
200  
R
SCOPE  
10 µs  
B
10 OHMS  
+ 11 V  
0
t
r
100  
70  
1N4933  
50  
- 9.0 V  
t , t v 10 ns  
r
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
30  
20  
- 5.0 V  
NOTE: For information on Figures 3 and 6, R and R were  
10  
0.3  
B
C
0.5 0.7 1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20 30  
varied to obtain desired test conditions.  
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
http://onsemi.com  
2
1234

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