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2N6278

更新时间: 2024-02-19 06:52:05
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

2N6278 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.27
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHz

2N6278 数据手册

  

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