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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-63, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-63 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N628 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| 2N6280 | NJSEMI | NPN POWER TRANSISTORS |
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| 2N6280E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6281 | NJSEMI | NPN POWER TRANSISTORS |
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| 2N6281 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6282 | COMSET | NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
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