是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.27 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6279 | NJSEMI |
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NPN POWER TRANSISTORS | |
2N6279 | APITECH |
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Transistor, | |
2N628 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box | |
2N6280 | NJSEMI |
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NPN POWER TRANSISTORS | |
2N6280E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, | |
2N6281 | NJSEMI |
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NPN POWER TRANSISTORS | |
2N6281 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, | |
2N6282 | COMSET |
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NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR | |
2N6282 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(20A,160W) | |
2N6282 | ONSEMI |
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DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |