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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.04 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6277 | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6277 | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6284G | ONSEMI |
功能相似 |
Darlington ComplementarySilicon Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6274_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6274A | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6275 | APITECH |
获取价格 |
Transistor, |
|
| 2N6275 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
|
| 2N6275 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6275 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2N6275 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6275A | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6276 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device |
|
| 2N6276 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN POWER TRANSISTORS |
|
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