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2N6273

更新时间: 2024-09-28 20:23:55
品牌 Logo 应用领域
APITECH 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 204K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

2N6273 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.77Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-63
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):75 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2N6273 数据手册

 浏览型号2N6273的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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