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2N6274

更新时间： 2024-09-28 06:20:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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描述
Silicon NPN Power Transistor

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2N6274 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N6274

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·High DC Current Gain-

: h_FE= 30-120@ I_C= 20A

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)=1.0V(Min.)@ I_C= 20A

·Complement to Type 2N6377

APPLICATIONS

·Designed for use in industrial-military power amplifier and

switching circuit applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

120

100

UNIT

Collector- Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

100

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

P_C

250

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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