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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6182E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N6183 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6183 | SSDI |
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Transistor |
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| 2N6183E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N6184 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6184 | SSDI |
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Transistor |
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| 2N6185 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6185 | SSDI |
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Transistor |
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| 2N6185E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, |
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| 2N6186 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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