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2N6182 PDF预览

2N6182

更新时间： 2024-01-27 16:42:37

品牌	Logo	应用领域
NJSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	259K
描述
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

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技术参数
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2N6182 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2N6182 数据手册

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与2N6182相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6182E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N6183	NJSEMI	10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON	获取价格
2N6183	SSDI	Transistor	获取价格
2N6183E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3	获取价格
2N6184	NJSEMI	10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON	获取价格
2N6184	SSDI	Transistor	获取价格

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