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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6187E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6188 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6188 | SSDI |
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5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N6188E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6189 | SSDI |
获取价格 |
5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N6189 | NJSEMI |
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10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6190 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6190 | NJSEMI |
获取价格 |
5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6190 | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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| 2N6190 | SEMICOA |
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Chip Type 2C6193 Geometry 9700 Polarity PNP |
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