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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-59 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6184 | NJSEMI |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6184 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N6185 | NJSEMI |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6185 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N6185E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, |
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| 2N6186 | NJSEMI |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6186E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6187 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N6187 | NJSEMI |
获取价格 |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6187E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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