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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6186 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6186E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6187 | SSDI | Transistor |
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| 2N6187 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6187E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6188 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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