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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 7 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6126-DR6280 | RENESAS |
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4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6126LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N6127 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N6128 | NJSEMI |
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N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2N6128E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N6129 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6129 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6129 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6129 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6129LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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