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2N6129

更新时间： 2024-09-13 06:17:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6129 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6129 2N6130 2N6131

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High power dissipation

·Complement to PNP type :

2N6132 2N6133 2N6134

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6129

2N6130

2N6131

2N6129

2N6130

2N6131

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

2.5

℃/W

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N6130	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6130	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6130	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N6130	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6130LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2N6131	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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