是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.27 |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 2.5 MHz |
VCEsat-Max: | 1.4 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6125PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, | |
2N6126 | STMICROELECTRONICS |
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4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN | |
2N6126 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N6126 | MOSPEC |
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COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS | |
2N6126 | BOCA |
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Medium Power Linear and Switching Applications | |
2N6126 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
2N6126 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT | |
2N6126 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N6126 | FOSHAN |
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TO-220 | |
2N6126-6200 | RENESAS |
获取价格 |
4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |