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2N6056

更新时间： 2024-01-13 05:29:39

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管局域网
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8页	102K
描述
NPN Darlington Silicon Power Transistor

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2N6056 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6056 数据手册

2N6056

PACKAGE DIMENSIONS

CASE 1–07

TO–204AA (TO–3)

ISSUE Z

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH

REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.

SEATING

PLANE

–T–

D 2 PL

INCHES

DIM MIN MAX

1.550 REF

MILLIMETERS

0.13 (0.005)

MIN

MAX

39.37 REF

---

0.250

0.038

0.055

1.050

---

6.35

0.97

1.40

26.67

8.51

1.09

1.77

–Y–

0.335

0.043

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440 0.480

0.665 BSC

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18 12.19

16.89 BSC

---

0.151

0.830

0.165

---

3.84

21.08

4.19

–Q–

0.13 (0.005)

1.187 BSC

30.15 BSC

0.131

0.188

3.33

4.77

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2. EMITTER

CASE: COLLECTOR

http://onsemi.com

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