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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5951TRA | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5951TRB | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5951TRC | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRD | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRE | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRELEADFREE | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRF | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRG | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5951TRH | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2N5952 | ALLEGRO |
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Transistor |
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