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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 100 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 3.5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5655 | NJSEMI |
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PLASTIC NPN SILICON HIGH-VOLTAGE POWER TRANSISTOR |
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| 2N5655 | ONSEMI |
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Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
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| 2N5655 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5655 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5655 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5655 | TI |
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2N5655 |
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| 2N5655 | CENTRAL |
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250V,500mA,20W Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage |
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| 2N5655/D | ETC |
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Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
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| 2N5655_06 | ONSEMI |
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Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
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| 2N5655G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
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