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2N5655

更新时间： 2024-02-03 11:53:05

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5655 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.9
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
VCEsat-Max：	10 V

2N5655 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5655 2N5656 2N5657

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For use in line-operated equipment

such as audio output amplifiers;

low-current ,high-voltage converters;

and AC line relays

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

275

325

375

250

300

350

UNIT

2N5655

2N5656

2N5657

2N5655

2N5656

2N5657

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

0.5

Collector current-Peak

Base current

1.0

0.25

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

6.25

℃/W

12 3

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