2N5551BU-C

更新时间： 2024-01-27 12:22:24

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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6页	75K
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Small Signal Bipolar Transistor

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2N5551BU-C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551BU-C 数据手册

2N5550, 2N5551

100

T = 25°C

30 V

−ꢀ8.8 V

10.2 V

100

3.0 k

ibo

0.25 mF

7.0

5.0

10 ms

INPUT PULSE

out

5.1 k

100

3.0

2.0

obo

t , t ≤ 10 ns

DUTY CYCLE = 1.0%

1N914

1.0

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

Values Shown are for I @ 10 mA

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 6. Switching Time Test Circuit

Figure 7. Capacitances

1000

500

5000

I /I = 10

C B

t @ V = 120 V

3000

2000

T = 25°C

t @ V = 120 V

t @ V = 30 V

f CC

300

200

1000

500

t @ V = 30 V

100

300

200

t @ V = 120 V

t @ V

= 1.0 V

EB(off)

= 120 V

100

0.2 0.3 0.5 1.0

2.0 3.0 5.0

20 30 50 100 200

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

20 30 50

100 200

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 8. Turn−On Time

Figure 9. Turn−Off Time

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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