2N5551BU-C

更新时间： 2024-02-20 19:26:30

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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6页	75K
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Small Signal Bipolar Transistor

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2N5551BU-C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551BU-C 数据手册

2N5550, 2N5551

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 1.0 mA

10 mA

100 mA

30 mA

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region

= 30 V

T = 125°C

−1

= I

CES

−2

75°C

REVERSE

25°C

−3

FORWARD

−4

−5

0.4 0.3 0.2 0.1

0.1 0.2

0.3 0.4 0.5 0.6

, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut−Off Region

1.0

2.5

2.0

T = 25°C

T = −55°C to +135°C

1.5

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.5

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

for V

CE(sat)

−0.5

−1.0

−1.5

−2.0

−2.5

for V

BE(sat)

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

0.1 0.2 0.3 0.5

1.0 2.0 3.0 5.0

10 20 30 50 100

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

10 20 30 50 100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. “On” Voltages

Figure 5. Temperature Coefficients

http://onsemi.com

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